řada: SF Series MOSFET SIHG050N65SF-GE3 N-kanálový 64 A 650 V Vishay, TO-247AC, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 735-207
- Výrobní číslo:
- SIHG050N65SF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 585,40 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
154,38 Kč
(bez DPH)
186,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 490 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 154,38 Kč | - |
| 10 - 49 | 95,84 Kč | 585,40 Kč |
| 50 - 99 | 74,35 Kč | 4 001,50 Kč |
| 100 + | 61,01 Kč | 9 337,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 735-207
- Výrobní číslo:
- SIHG050N65SF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 64A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-247AC | |
| Řada | SF Series | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.052Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 141nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 520W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 20.7mm | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Šířka | 15.87mm | |
| Výška | 5.31mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 64A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-247AC | ||
Řada SF Series | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.052Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 141nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 520W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 20.7mm | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Šířka 15.87mm | ||
Výška 5.31mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Související odkazy
- řada: SF Series MOSFET SIHG080N65SF-GE3 N-kanálový 46 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SF Series MOSFET SIHG041N65SF-GE3 N-kanálový 74 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SF Series MOSFET SIHG110N65SF-GE3 N-kanálový 33 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SF Series MOSFET SIHL050N65SF-GE3 N-kanálový 64 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: E Series MOSFET SIHG100N65E-GE3 N-kanálový 30 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Series MOSFET SIHG026N65E-GE3 N-kanálový 88 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SF Series MOSFET SIHL041N65SF-GE3 N-kanálový 74 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SF Series MOSFET SIHL080N65SF-GE3 N-kanálový 46 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení