řada: G-HEMT MOSFET 15 A 750 V STMicroelectronics, Cívka, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 265-1034
- Výrobní číslo:
- SGT120R65AL
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
101 778,00 Kč
(bez DPH)
123 150,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 01. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 33,926 Kč | 101 778,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 265-1034
- Výrobní číslo:
- SGT120R65AL
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 15A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 750V | |
| Typ balení | Cívka | |
| Řada | G-HEMT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 15A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 750V | ||
Typ balení Cívka | ||
Řada G-HEMT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor STMicroelectronics e-mode PowerGaN je kombinován se zavedenou technologií balení. Výsledné zařízení G-HEMT nabízí mimořádně nízké ztráty vedení, vysokou proudovou kapacitu a mimořádně rychlý spínací provoz, který umožňuje vysokou hustotu výkonu a bezkonkurenční účinnost.
Režim vylepšení normálně vypnutí tranzistoru
Velmi vysoká spínací rychlost
Vysoká schopnost řízení výkonu
Extrémně nízké kapacity
Zdrojová podložka Kelvin pro optimální ovládání hradla
Nulový zpětný náboj
Související odkazy
- řada: G-HEMT MOSFET SGT120R65AL 15 A 750 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: G-HEMT Výkonový MOSFET SGT350R70GTK P-kanál-kanálový 6 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 2
- MOSFET Typ N-kanálový 30 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 10 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: SCT MOSFET SCT060HU75G3AG Typ N-kanálový 30 A 750 V počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SCT055HU65G3AG Typ N-kanálový 30 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SCT040HU65G3AG Typ N-kanálový 10 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 7 A 1200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
