MOSFET TN2640K4-G Typ N-kanálový 4 A 400 V Microchip, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový MOSFET
- Skladové číslo RS:
- 264-8923
- Výrobní číslo:
- TN2640K4-G
- Výrobce:
- Microchip
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
130,17 Kč
(bez DPH)
157,506 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 840 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 65,085 Kč | 130,17 Kč |
| 50 - 98 | 54,585 Kč | 109,17 Kč |
| 100 - 248 | 48,905 Kč | 97,81 Kč |
| 250 - 998 | 48,04 Kč | 96,08 Kč |
| 1000 + | 47,175 Kč | 94,35 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-8923
- Výrobní číslo:
- TN2640K4-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 400V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | MOSFET | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 0.36W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 400V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu MOSFET | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 0.36W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový tranzistor MOSFET Microchip s nízkou prahovou hodnotou (normálně vypnutý) využívá vertikální strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces s křemíkovými hradly. Tato kombinace vytváří zařízení s funkcemi řízení napájení bipolárních tranzistorů a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem inherentním u zařízení MOS. Charakteristické pro všechny konstrukce MOS, toto zařízení je bez tepelného úniku a tepelně indukovaného sekundárního rozkladu. Svislé tranzistory DMOS FET jsou ideální pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací, kde je požadováno velmi nízké prahové napětí, vysoké přerušovací napětí, vysoká vstupní impedance, nízká vstupní kapacita a vysoké spínací rychlosti.
Nízká prahová hodnota (max. 2,0 V)
Vysoká vstupní impedance
Nízká vstupní kapacita
Rychlé spínací rychlosti
Nízký odpor při zapnutí
Bez sekundárního porušení
Nízký vstupní a výstupní únik
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 4 A 400 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový MOSFET
- řada: DN2625 MOSFET DN2625K4-G Typ N-kanálový 250 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: DN2470 RF MOSFET DN2470K4-G Typ N-kanálový 170 mA 700 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: TN2540 MOSFET TN2540N3-G Typ N-kanálový 175 A 400 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DN3765 Jednoduché tranzistory MOSFET DN3765K4-G N-kanálový DMOS FET-kanálový 350 mA 500 V Microchip, TO-252
- řada: DN2530 Jednoduché tranzistory MOSFET DN2530N8-G N-kanálový DMOS FET-kanálový 350 mA 500 V Microchip, TO-252
- řada: DN3545 Jednoduché tranzistory MOSFET DN3545N8-G N-kanálový DMOS FET-kanálový 350 mA 500 V Microchip, TO-252
- řada: DN2450 Jednoduché tranzistory MOSFET DN2450N8-G N-kanálový DMOS FET-kanálový 350 mA 500 V Microchip, TO-252