řada: DN2450 Jednoduché tranzistory MOSFET DN2450N8-G N-kanálový DMOS FET-kanálový 350 mA 500 V Microchip, TO-252

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

41 650,00 Kč

(bez DPH)

50 396,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za cívku*
2000 +20,825 Kč41 650,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
598-247
Výrobní číslo:
DN2450N8-G
Výrobce:
Microchip
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Microchip

Typ kanálu

N-kanálový DMOS FET

Typ produktu

Jednoduché tranzistory MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

350mA

Maximální napětí na zdroji Vds

500V

Typ balení

TO-252 (D-PAK-3)

Řada

DN2450

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

10Ω

Režim kanálu

Režim vyčerpání

Přímé napětí Vf

1.8V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

2.5W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS, ISO/TS‑16949

Výška

2.29mm

Délka

4.4mm

Automobilový standard

Ne

Tranzistory Microchip s režimem vyčerpání s nízkou prahovou hodnotou (normálně zapnuté) využívají pokročilou svislou strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces s křemíkovou hradlicí. Tato kombinace vytváří zařízení se schopnostmi manipulace s napájením bipolárních tranzistorů a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem, které jsou vlastní zařízením MOS. Charakteristické pro všechny konstrukce MOS jsou tato zařízení bez tepelného úniku a tepelně indukovaného sekundárního porušení. Svislé tranzistory DMOS FET jsou ideální pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací, kde je požadováno velmi nízké prahové napětí, vysoké přerušovací napětí, vysoká vstupní impedance, nízká vstupní kapacita a vysoké spínací rychlosti.

Vysoká vstupní impedance

Nízká vstupní kapacita

Rychlé spínací rychlosti

Nízký odpor při zapnutí

Bez sekundárního poškození

Nízký vstupní a výstupní únik

Související odkazy