řada: DN2535 Jednoduché tranzistory MOSFET DN2535N5-G N-kanálový DMOS FET-kanálový 350 mA 500 V Microchip, TO-252

Mezisoučet (1 krabice po 300 kusech)*

11 729,70 Kč

(bez DPH)

14 193,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 05. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
Za Krabici*
300 +39,099 Kč11 729,70 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
598-063
Výrobní číslo:
DN2535N5-G
Výrobce:
Microchip
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Microchip

Typ kanálu

N-kanálový DMOS FET

Typ produktu

Jednoduché tranzistory MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

350mA

Maximální napětí na zdroji Vds

500V

Typ balení

TO-252 (D-PAK-3)

Řada

DN2535

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

10Ω

Režim kanálu

Režim vyčerpání

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.8V

Maximální ztrátový výkon Pd

2.5W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS, ISO/TS‑16949

Výška

2.29mm

Délka

4.4mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Tranzistor Microchip s režimem vyčerpání s nízkou prahovou hodnotou využívající pokročilou svislou strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces s křemíkovou hradlicí. Tato kombinace vytváří zařízení s funkcemi řízení napájení bipolárních tranzistorů a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem inherentním u zařízení MOS. Charakteristické pro všechny konstrukce MOS, toto zařízení je bez tepelného úniku a sekundárního rozkladu vyvolaného teplem. Svislé tranzistory DMOS FET jsou ideální pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací, kde je požadováno vysoké přerušovací napětí, vysoká vstupní impedance, nízká vstupní kapacita a vysoké spínací rychlosti.

Vysoká vstupní impedance

Nízká vstupní kapacita

Rychlé spínací rychlosti

Nízký odpor při zapnutí

Bez sekundárního poškození

Nízký vstupní a výstupní únik

Související odkazy