řada: QH8MA3 MOSFET QH8MA3TCR Typ N, Typ P-kanálový 7 A 30 V ROHM, TSMT, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 264-3774
- Výrobní číslo:
- QH8MA3TCR
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
157,59 Kč
(bez DPH)
190,68 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 770 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 15,759 Kč | 157,59 Kč |
| 50 - 90 | 15,438 Kč | 154,38 Kč |
| 100 - 240 | 12,103 Kč | 121,03 Kč |
| 250 - 990 | 11,856 Kč | 118,56 Kč |
| 1000 + | 9,213 Kč | 92,13 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-3774
- Výrobní číslo:
- QH8MA3TCR
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ N, Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | TSMT | |
| Řada | QH8MA3 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 29mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.2nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ N, Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení TSMT | ||
Řada QH8MA3 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 29mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.2nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS, Pb-free lead plating | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TH
MOSFET středního výkonu ROHM je vhodný pro spínací napájecí zdroje, má malé pouzdro pro povrchovou montáž a bezolovnaté pláště a splňuje požadavky RoHS.
Nízký odpor při zapnutí
Bez obsahu halogenů
Související odkazy
- řada: QH8MA3 MOSFET Typ N TSMT, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: QH8MA3MOSFET QH8MA3TCR N/P-kanálový 30 V počet kolíků: 8 dvojitý
- MOSFET QH8JB5TCR Typ P-kanálový 5 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- MOSFET QH8JC5TCR Typ P-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Duální
- řada: RTR020P02 MOSFET RQ5C020TPTL Typ P-kanálový 2 A 20 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RRR040P03 MOSFET RQ5E040RPTL Typ P-kanálový 4 A 30 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET RTU002P02T106 Typ P-kanálový 20 V počet kolíků: 3 kolíkový ROHM Vylepšení 1 Jednoduchý
- řada: RQ5H020SP MOSFET RQ5H020SPTL Typ P-kanálový 2 A 45 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
