MOSFET SCT040HU65G3AG Typ N-kanálový 10 A 800 V STMicroelectronics, Páska a cívka, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 261-5040P
- Výrobní číslo:
- SCT040HU65G3AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
2 751,60 Kč
(bez DPH)
3 329,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 177 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 99 | 275,16 Kč |
| 100 - 249 | 271,70 Kč |
| 250 - 499 | 268,49 Kč |
| 500 + | 265,28 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 261-5040P
- Výrobní číslo:
- SCT040HU65G3AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | Páska a cívka | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 39.5nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 3.5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 18.58mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení Páska a cívka | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 39.5nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 3.5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 18.58mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
Zařízení STMicroelectronics Power MOSFET z karbidu křemíku bylo vyvinuto pomocí pokročilého a inovativního 3. generace technologie SiC MOSFET. Zařízení nabízí velmi nízkou hodnotu RDS(on) v celém teplotním rozsahu v kombinaci s nízkými kapacitami a velmi vysokými spínacími operacemi, které zlepšují výkon aplikace v oblasti frekvence, energetické účinnosti, velikosti systému a snížení hmotnosti.
Certifikace AEC-Q101
Velmi nízká hodnota RDS(on) v celém teplotním rozsahu
Vysokorychlostní spínací výkon
Velmi rychlá a robustní vnitřní tělesná dioda
Zdrojový snímací kolík pro vyšší účinnost
Související odkazy
- PLC procesor řada SIMATIC S7-1200 relé Ethernet 14 vstupů/výstupů 1 MB 8 6 Lišta DIN, Nástěnná
- Dveřní lišta proti dešti délka: 838mm x 32 mm x 20.75mm RS PRO
- Protipovodňová bariéra 30 l množství v balení: 1 ks v balení RS PRO
- Zmrazovací sprej, 400 ml Aerosol -45°C RS PRO
- Elektroměr, řada: SENTRON PAC2200 LCD 3fázový Siemens
- Pneumatický spínač polovodičový SMC
- Knoflíková baterie 3V CR2050 CR2050 Murata
- Mikrometr5 μm0001 mm0005 mm max. měření: 25mm, rozsah: 0 mm →25
