MOSFET N-kanálový 10 A 800 V STMicroelectronics, Páska a cívka, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 261-5040P
- Výrobní číslo:
- SCT040HU65G3AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
2 954,10 Kč
(bez DPH)
3 574,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 177 jednotka(y) budou odesílané od 13. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 99 | 295,41 Kč |
| 100 + | 292,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 261-5040P
- Výrobní číslo:
- SCT040HU65G3AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | Páska a cívka | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 39.5nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 3.5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 14mm | |
| Délka | 18.58mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení Páska a cívka | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 39.5nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 3.5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 14mm | ||
Délka 18.58mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
Zařízení STMicroelectronics Power MOSFET z karbidu křemíku bylo vyvinuto pomocí pokročilého a inovativního 3. generace technologie SiC MOSFET. Zařízení nabízí velmi nízkou hodnotu RDS(on) v celém teplotním rozsahu v kombinaci s nízkými kapacitami a velmi vysokými spínacími operacemi, které zlepšují výkon aplikace v oblasti frekvence, energetické účinnosti, velikosti systému a snížení hmotnosti.
Certifikace AEC-Q101
Velmi nízká hodnota RDS(on) v celém teplotním rozsahu
Vysokorychlostní spínací výkon
Velmi rychlá a robustní vnitřní tělesná dioda
Zdrojový snímací kolík pro vyšší účinnost