řada: iPB MOSFET IPB043N10NF2SATMA1 Typ N-kanálový 135 A 100 V Infineon, TO-263 P

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

71,53 Kč

(bez DPH)

86,552 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 494 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 +35,765 Kč71,53 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
259-2588
Výrobní číslo:
IPB043N10NF2SATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

135A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Řada

iPB

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Režim kanálu

P

Přímé napětí Vf

1.2V

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon StrongIRFET 2 jsou optimalizovány pro širokou škálu aplikací, jako jsou SMPS, pohony motorů, napájení z baterií, správa baterií, UPS a lehká elektrická vozidla. Tato nová technologie nabízí až 40% zlepšení RDS(on) a až 60% nižší Qg ve srovnání s předchozími zařízeními StrongIRFET, což se promítá do vyšší účinnosti pro lepší celkový výkon systému. Zvýšené jmenovité proudy umožňují vyšší proudovou přenosnost, což eliminuje nutnost paralelní montáže více zařízení, což vede k nižším nákladům na BOM a úsporám na desce.

Široká dostupnost od distribučních partnerů

Vynikající poměr cena/výkon

Ideální pro vysoké a nízké spínací frekvence

Průmyslové pouzdro s průchozím otvorem

Vysoký jmenovitý proud

Související odkazy