řada: iPB MOSFET IPB026N10NF2SATMA1 Typ N-kanálový 162 A 100 V Infineon, TO-263 P
- Skladové číslo RS:
- 259-2581
- Výrobní číslo:
- IPB026N10NF2SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
99,29 Kč
(bez DPH)
120,14 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 773 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 99,29 Kč |
| 10 - 24 | 89,17 Kč |
| 25 - 49 | 83,24 Kč |
| 50 - 99 | 77,56 Kč |
| 100 + | 72,62 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 259-2581
- Výrobní číslo:
- IPB026N10NF2SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 162A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | iPB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Režim kanálu | P | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 162A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada iPB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Režim kanálu P | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon StrongIRFET 2 jsou optimalizovány pro širokou škálu aplikací, jako jsou SMPS, pohony motorů, napájení z baterií, správa baterií, UPS a lehká elektrická vozidla. Tato nová technologie nabízí až 40% zlepšení RDS(on) a až 60% nižší Qg ve srovnání s předchozími zařízeními StrongIRFET, což se promítá do vyšší účinnosti pro lepší celkový výkon systému. Zvýšené jmenovité proudy umožňují vyšší proudovou přenosnost, což eliminuje nutnost paralelní montáže více zařízení, což vede k nižším nákladům na BOM a úsporám na desce.
Široká dostupnost od distribučních partnerů
Vynikající poměr cena/výkon
Ideální pro vysoké a nízké spínací frekvence
Průmyslové pouzdro s průchozím otvorem
Vysoký jmenovitý proud
Související odkazy
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 162 A 100 V Infineon, TO-263 P
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 135 A 100 V Infineon, TO-263 P
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 103 A 100 V Infineon, TO-263 P
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 44 A 300 V Infineon, TO-263 P
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 170 A 80 V Infineon, TO-263 P
- řada: iPB MOSFET IPB043N10NF2SATMA1 Typ N-kanálový 135 A 100 V Infineon, TO-263 P
- řada: iPB MOSFET IPB050N10NF2SATMA1 Typ N-kanálový 103 A 100 V Infineon, TO-263 P
- řada: iPB MOSFET IPB407N30NATMA1 Typ N-kanálový 44 A 300 V Infineon, TO-263 P