řada: iPB MOSFET IPB024N08NF2SATMA1 Typ N-kanálový 161 A 80 V Infineon, TO-263 N
- Skladové číslo RS:
- 259-2578
- Výrobní číslo:
- IPB024N08NF2SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
204,02 Kč
(bez DPH)
246,86 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 794 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 102,01 Kč | 204,02 Kč |
| 20 - 48 | 91,76 Kč | 183,52 Kč |
| 50 - 98 | 85,835 Kč | 171,67 Kč |
| 100 - 198 | 79,535 Kč | 159,07 Kč |
| 200 + | 73,36 Kč | 146,72 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 259-2578
- Výrobní číslo:
- IPB024N08NF2SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 161A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | iPB | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 161A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada iPB | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon StrongIRFET 2 jsou optimalizovány pro širokou škálu aplikací, jako jsou SMPS, pohony motorů, napájení z baterií, správa baterií, UPS a lehká elektrická vozidla. Tato nová technologie nabízí až 40% zlepšení RDS(on) a až 60% nižší Qg ve srovnání s předchozími zařízeními StrongIRFET, což se promítá do vyšší účinnosti pro lepší celkový výkon systému. Zvýšené jmenovité proudy umožňují vyšší proudovou přenosnost, což eliminuje nutnost paralelní montáže více zařízení, což vede k nižším nákladům na BOM a úsporám na desce.
Široká dostupnost od distribučních partnerů
Vynikající poměr cena/výkon
Ideální pro vysoké a nízké spínací frekvence
Průmyslové pouzdro s průchozím otvorem
Vysoký jmenovitý proud
Související odkazy
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 161 A 80 V Infineon, TO-263 N
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 94 A 80 V Infineon, TO-263 N
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 107 A 80 V Infineon, TO-263 N
- řada: iPB MOSFET IPB040N08NF2SATMA1 Typ N-kanálový 107 A 80 V Infineon, TO-263 N
- řada: iPB MOSFET IPB055N08NF2SATMA1 Typ N-kanálový 94 A 80 V Infineon, TO-263 N
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 170 A 80 V Infineon, TO-263 P
- řada: iPB MOSFET IPB019N08NF2SATMA1 Typ N-kanálový 170 A 80 V Infineon, TO-263 P
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 166 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N