řada: iPB MOSFET IPB024N08NF2SATMA1 Typ N-kanálový 161 A 80 V Infineon, TO-263 N

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

171,91 Kč

(bez DPH)

208,012 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 794 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 1885,955 Kč171,91 Kč
20 - 4877,31 Kč154,62 Kč
50 - 9872,37 Kč144,74 Kč
100 - 19867,185 Kč134,37 Kč
200 +61,75 Kč123,50 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
259-2578
Výrobní číslo:
IPB024N08NF2SATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

161A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

TO-263

Řada

iPB

Typ montáže

Povrch

Režim kanálu

N

Přímé napětí Vf

1.2V

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon StrongIRFET 2 jsou optimalizovány pro širokou škálu aplikací, jako jsou SMPS, pohony motorů, napájení z baterií, správa baterií, UPS a lehká elektrická vozidla. Tato nová technologie nabízí až 40% zlepšení RDS(on) a až 60% nižší Qg ve srovnání s předchozími zařízeními StrongIRFET, což se promítá do vyšší účinnosti pro lepší celkový výkon systému. Zvýšené jmenovité proudy umožňují vyšší proudovou přenosnost, což eliminuje nutnost paralelní montáže více zařízení, což vede k nižším nákladům na BOM a úsporám na desce.

Široká dostupnost od distribučních partnerů

Vynikající poměr cena/výkon

Ideální pro vysoké a nízké spínací frekvence

Průmyslové pouzdro s průchozím otvorem

Vysoký jmenovitý proud

Související odkazy