řada: iPB MOSFET IPB040N08NF2SATMA1 Typ N-kanálový 107 A 80 V Infineon, TO-263 N

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

157,09 Kč

(bez DPH)

190,078 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 734 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 1878,545 Kč157,09 Kč
20 - 4870,52 Kč141,04 Kč
50 - 9865,95 Kč131,90 Kč
100 - 19861,38 Kč122,76 Kč
200 +57,305 Kč114,61 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
259-2585
Výrobní číslo:
IPB040N08NF2SATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

107A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Řada

iPB

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Režim kanálu

N

Přímé napětí Vf

1.2V

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon StrongIRFET 2 jsou optimalizovány pro širokou škálu aplikací, jako jsou SMPS, pohony motorů, napájení z baterií, správa baterií, UPS a lehká elektrická vozidla. Tato nová technologie nabízí až 40% zlepšení RDS(on) a až 60% nižší Qg ve srovnání s předchozími zařízeními StrongIRFET, což se promítá do vyšší účinnosti pro lepší celkový výkon systému. Zvýšené jmenovité proudy umožňují vyšší proudovou přenosnost, což eliminuje nutnost paralelní montáže více zařízení, což vede k nižším nákladům na BOM a úsporám na desce.

Široká dostupnost od distribučních partnerů

Vynikající poměr cena/výkon

Ideální pro vysoké a nízké spínací frekvence

Průmyslové pouzdro s průchozím otvorem

Vysoký jmenovitý proud

Související odkazy