řada: HEXFET IR MOSFET IRF7306TRPBF Typ P-kanálový -4 A -30 V Infineon, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Dvě
- Skladové číslo RS:
- 258-8196
- Výrobní číslo:
- IRF7306TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
276,89 Kč
(bez DPH)
335,04 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 970 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 27,689 Kč | 276,89 Kč |
| 50 - 90 | 27,145 Kč | 271,45 Kč |
| 100 - 490 | 21,514 Kč | 215,14 Kč |
| 500 - 1990 | 17,883 Kč | 178,83 Kč |
| 2000 + | 13,659 Kč | 136,59 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-8196
- Výrobní číslo:
- IRF7306TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | IR MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -30V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 160mΩ | |
| Režim kanálu | Dvě | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 5mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 4mm | |
| Výška | 1.75mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu IR MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -30V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 160mΩ | ||
Režim kanálu Dvě | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 5mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 4mm | ||
Výška 1.75mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Související odkazy
- řada: HEXFET IR MOSFET Typ P-kanálový -4 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Dvě
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 5 A Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRF7205TRPBF Typ P-kanálový 5 A Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový -8 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRF7328TRPBF Typ N-kanálový -8 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 8 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový -7.4 A -12 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový -9.2 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový