řada: HEXFET MOSFET IRL530NSTRLPBF Typ N-kanálový 17 A 100 V Infineon, TO-263
- Skladové číslo RS:
- 258-3992
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-548
- Výrobní číslo:
- IRL530NSTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
185,25 Kč
(bez DPH)
224,15 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 45 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 37,05 Kč | 185,25 Kč |
| 50 - 120 | 33,296 Kč | 166,48 Kč |
| 125 - 245 | 31,122 Kč | 155,61 Kč |
| 250 - 495 | 28,948 Kč | 144,74 Kč |
| 500 + | 27,022 Kč | 135,11 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3992
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-548
- Výrobní číslo:
- IRL530NSTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 17A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 150mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.8W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 22.7nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 17A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 150mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.8W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 22.7nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Infineon HEXFET je pátá generace tranzistorů HEXFET od společnosti International Rectifier, které využívají pokročilé techniky zpracování pro dosažení nejnižšího možného odporu při zapnutí na křemíkovou plochu. Tato výhoda v kombinaci s vysokou spínací rychlostí a robustní konstrukcí zařízení, pro kterou jsou výkonové tranzistory HEXFET MOSFET dobře známé, poskytuje návrhářům mimořádně efektivní zařízení pro použití v široké škále aplikací.
Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání níže <100 kHz
Průmyslové standardní napájecí pouzdro pro povrchovou montáž
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF530NSTRLPBF Typ N-kanálový 17 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4410PBF Typ N-kanálový 88 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRLS4030TRLPBF Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 80 A 75 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 140 A 30 V Infineon, TO-263