řada: HEXFET MOSFET IRL530NSTRLPBF N-kanálový 17 A 100 V Infineon, TO-263
- Skladové číslo RS:
- 258-3992
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-548
- Výrobní číslo:
- IRL530NSTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 251,90 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
249,22 Kč
(bez DPH)
301,56 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 815 jednotka(y) budou odesílané od 10. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 49,844 Kč | 249,22 Kč | - |
| 50 - 120 | 44,806 Kč | 224,03 Kč | 251,90 Kč |
| 125 - 245 | 41,892 Kč | 209,46 Kč | 994,00 Kč |
| 250 - 495 | 38,928 Kč | 194,64 Kč | 2 729,00 Kč |
| 500 + | 36,408 Kč | 182,04 Kč | 6 718,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3992
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-548
- Výrobní číslo:
- IRL530NSTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 17A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 150mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.8W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 22.7nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 17A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 150mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.8W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 22.7nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Infineon HEXFET je pátá generace tranzistorů HEXFET od společnosti International Rectifier, které využívají pokročilé techniky zpracování pro dosažení nejnižšího možného odporu při zapnutí na křemíkovou plochu. Tato výhoda v kombinaci s vysokou spínací rychlostí a robustní konstrukcí zařízení, pro kterou jsou výkonové tranzistory HEXFET MOSFET dobře známé, poskytuje návrhářům mimořádně efektivní zařízení pro použití v široké škále aplikací.
Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání níže <100 kHz
Průmyslové standardní napájecí pouzdro pro povrchovou montáž
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 17 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 17 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF530NSTRLPBF N-kanálový 17 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 88 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4410PBF N-kanálový 88 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRLS4030TRLPBF N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 85 A 150 V Infineon, TO-263