řada: HEXFET MOSFET IRLS4030TRLPBF Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-263
- Skladové číslo RS:
- 257-5840
- Výrobní číslo:
- IRLS4030TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
160,06 Kč
(bez DPH)
193,68 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 800 jednotka(y) budou odesílané od 16. dubna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 80,03 Kč | 160,06 Kč |
| 20 - 48 | 72,00 Kč | 144,00 Kč |
| 50 - 98 | 67,31 Kč | 134,62 Kč |
| 100 - 198 | 62,49 Kč | 124,98 Kč |
| 200 + | 58,415 Kč | 116,83 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5840
- Výrobní číslo:
- IRLS4030TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Montáž na plošný spoj | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.3mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Montáž na plošný spoj | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.3mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Infineon HEXFET je optimalizován pro pohon logické úrovně, velmi nízký RDS při napětí 4,5 V VGS, použitý pohon stejnosměrného motoru, vysoce účinná synchronní usměrňování v SMPS, nepřerušitelný napájecí zdroj, vysokorychlostní spínání napájení, pevně spínané a vysokofrekvenční obvody.
Vyšší R*Q při napětí 45 V VGS
Vylepšená brána, laviny a dynamická odolnost dV/dt
Plně charakterizovaná kapacitnost a lavinová SOA
Vylepšená schopnost tělesné diody dV/dt a dI/dt
bez olova
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRFS4010TRLPBF Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF1404ZSTRLPBF Typ N-kanálový 180 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4410PBF Typ N-kanálový 88 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRL530NSTRLPBF Typ N-kanálový 17 A 100 V Infineon, TO-263