MOSFET IPW60R099C7XKSA1 22 A 650 V, PG-TO 247

Řada MOSFETů Infineon 600 V CoolMOS C7 Super Junction nabízí snížení ztrát při vypnutí o ∼50 % ve srovnání s modulem CoolMOS CP a nabízí vynikající úroveň výkonu v topologiích PFC, TTF a dalších topologiích s obtížným spínáním. MOSFET je také ideální pro nabíječky s vysokou výkonovou hustotou. Účinnost a aplikace TCO, jako jsou hyperdatová centra a vysoce účinné telekomunikační usměrňovače (>96 %) těží z vyšší účinnosti, kterou nabízí CoolMOS C7. Lze dosáhnout zisku 0,3 % až 0,7 % v topologii PFC a 0,1 % v topologii LLC. Například v případě serverového napájecího zdroje 2,5 kW může použití MOSFETů CoolMOS C7 SJ 600 V ve 4kolíkovém pouzdru TO-247 vést ke snížení nákladů na energii o ∼10 % při ztrátách energie napájecího zdroje.

Zvýšená spínací frekvence
Nejlepší R (on)A na světě
Robustní dioda v těle
Měření zobrazující klíčový parametr pro nízkou zátěž a účinnost při plné zátěži
Zdvojnásobením spínací frekvence se sníží velikost magnetických součástí o polovinu
Menší pouzdra pro stejný R DS(on)
Lze jej použít v mnoha dalších pozicích pro tvrdé i měkké spínací topologie