řada: IPW MOSFET IPW60R037CM8XKSA1 Typ N-kanálový 64 A 600 V Infineon, PG-TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 349-266
- Výrobní číslo:
- IPW60R037CM8XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
227,98 Kč
(bez DPH)
275,86 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 240 jednotka(y) budou odesílané od 24. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 227,98 Kč |
| 10 - 99 | 205,50 Kč |
| 100 - 499 | 189,45 Kč |
| 500 - 999 | 175,37 Kč |
| 1000 + | 156,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-266
- Výrobní číslo:
- IPW60R037CM8XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 64A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | PG-TO-247 | |
| Řada | IPW | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 37mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 79nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 329W | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | JEDEC for Industrial Applications, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 64A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení PG-TO-247 | ||
Řada IPW | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 37mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 79nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 329W | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení JEDEC for Industrial Applications, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Platforma Infineon CoolMOS 8. generace je revoluční technologie pro vysokonapěťové výkonové tranzistory MOSFET, navržená podle principu superjunction(SJ) a poprvé vyvinutá společností Infineon Technologies. Řada CoolMOS CM8 600V je nástupcem CoolMOS 7. Spojuje výhody rychle spínaného SJ MOSFETu s vynikající snadností použití, např. nízkou tendencí k vyzvánění, implementovanou rychlou tělesovou diodou pro všechny výrobky s vynikající odolností proti tvrdé komutaci a vynikající schopností ESD. Extrémně nízké spínací a vodivé ztráty CM8 navíc ještě více zefektivňují spínací aplikace.
Vhodné pro topologie s tvrdým i měkkým spínáním
Snadné použití a rychlý design díky nízké tendenci zvonění
Zjednodušená správa tepla díky naší pokročilé technice připevnění matrice
Vhodné pro širokou škálu aplikací a výkonových rozsahů
Řešení se zvýšenou hustotou výkonu umožněná použitím výrobků s menšími rozměry
Související odkazy
- AEC-Q101 PG-TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PG-TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPW MOSFET 13 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPW MOSFET 211 A 650 V Infineon, PG-TO-247
- řada: IPW MOSFET IPW60R105CFD7XKSA1 13 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPW MOSFET IPW65R050CFD7AXKSA1 211 A 650 V Infineon, PG-TO-247
- řada: IPW MOSFET Typ N-kanálový 69 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPW MOSFET IPW65R029CFD7XKSA1 Typ N-kanálový 69 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový