řada: iPB MOSFET IPBE65R050CFD7AATMA1 Typ N-kanálový 211 A 650 V Infineon, TO-263 N

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

179,32 Kč

(bez DPH)

216,98 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 814 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 9179,32 Kč
10 - 24170,43 Kč
25 - 49163,27 Kč
50 - 99155,86 Kč
100 +145,24 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
258-3827
Výrobní číslo:
IPBE65R050CFD7AATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

211A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Řada

iPB

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

40.7mΩ

Režim kanálu

N

Přímé napětí Vf

1.2V

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Technologie Infineon CoolMOS C3A byla navržena tak, aby splňovala rostoucí požadavky na vyšší napětí systému v oblasti elektrických vozidel, jako jsou PHEV a BEV.

Nejlepší kvalita a spolehlivost ve své třídě

Vyšší přerušovací napětí

Vysoká schopnost špičkového proudu

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.