řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 211 A 650 V Infineon, TO-263 N
- Skladové číslo RS:
- 258-3826
- Výrobní číslo:
- IPBE65R050CFD7AATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*
78 487,00 Kč
(bez DPH)
94 969,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 12. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1000 + | 78,487 Kč | 78 487,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3826
- Výrobní číslo:
- IPBE65R050CFD7AATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 211A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | iPB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 40.7mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 211A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada iPB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 40.7mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Technologie Infineon CoolMOS C3A byla navržena tak, aby splňovala rostoucí požadavky na vyšší napětí systému v oblasti elektrických vozidel, jako jsou PHEV a BEV.
Nejlepší kvalita a spolehlivost ve své třídě
Vyšší přerušovací napětí
Vysoká schopnost špičkového proudu
Související odkazy
- řada: iPB MOSFET IPBE65R050CFD7AATMA1 Typ N-kanálový 211 A 650 V Infineon, TO-263 N
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 22.4 A 700 V Infineon, TO-263 N
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 100 A 60 V Infineon, TO-263 N
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 107 A 80 V Infineon, TO-263 N
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 72 A 220 V Infineon, TO-263 N
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 94 A 80 V Infineon, TO-263 N
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 120 A 120 V Infineon, TO-263 N
- řada: iPB MOSFET Typ N-kanálový 180 A 60 V Infineon, TO-263 N