řada: iPB MOSFET IPB060N15N5ATMA1 Typ N-kanálový 136 A 150 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový N

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

105,72 Kč

(bez DPH)

127,92 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 9105,72 Kč
10 - 24100,78 Kč
25 - 4996,33 Kč
50 - 9992,13 Kč
100 +85,71 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
258-3794
Výrobní číslo:
IPB060N15N5ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

136A

Maximální napětí na zdroji Vds

150V

Typ balení

TO-263

Řada

iPB

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

6mΩ

Režim kanálu

N

Maximální ztrátový výkon Pd

250W

Přímé napětí Vf

0.9V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

54.5nC

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilový standard

Ne

Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS 5 150 V od společnosti Infineon jsou zvláště vhodné pro nízkonapěťové pohony, jako jsou vysokozdvižné vozíky a elektrické skútry, jakož i pro telekomunikační a solární aplikace. Nové produkty nabízejí průlomové snížení RDS(on) a Qrr bez ohrožení FOM gd a FOM OSS, což účinně snižuje úsilí při navrhování a zároveň optimalizuje účinnost systému. Kromě toho mimořádně nízký náboj s reverzním zotavením zvyšuje odolnost při komutaci.

Nižší výstupní nabíjení

Mimořádně nízký náboj s reverzním zotavením

Snížené paralelizace

Konstrukce s vyšší hustotou výkonu

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.