řada: iPB MOSFET IPB048N15N5LFATMA1 N-kanálový 273 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový N

Skladové číslo RS:: 242-5821
Výrobní číslo:: IPB048N15N5LFATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: iPB MOSFET IPB048N15N5LFATMA1 N-kanálový 273 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový N

Mezisoučet (1 jednotka)*

180,31 Kč

(bez DPH)

218,18 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

567 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku
1 +	180,31 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 242-5821
Výrobní číslo:: IPB048N15N5LFATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	273A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Řada	iPB
	Typ balení	TO-263
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	1.7mΩ
	Režim kanálu	N
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	80nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	81W
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 273A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Řada iPB
	Typ balení TO-263
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 1.7mΩ
	Režim kanálu N
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 81W
	Maximální provozní teplota +150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPB048N15N5LFATMA1

MOSFET Infineon řady iPB, maximální zdrojové napětí vypouštění 100 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 273 A – IPB048N15N5LFATMA1

Tento n-kanálový MOSFET je napájecí spínací zařízení navržené pro vysokoproudové vysokonapěťové aplikace, kde je vyžadován robustní tepelný a elektrický výkon. Pracuje v širokém rozsahu okolního prostředí a je dodáván v pouzdru TO-263 pro povrchovou montáž, který je vhodný pro desky plošných spojů řízené teplem. Zařízení je v souladu s RoHS a je určeno pro systémy vyžadující podstatnou nepřetržitou kapacitu vypouštění a řízený pohon hradla.

Charakteristiky a výhody:

• Odolnost vůči odtoku a zdroji 100 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 273 A pro manipulaci s velkým zatížením
• Nízká hodnota Rds(on) 1.7 mΩ snižující ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 81 W podporující provoz s vysokým výkonem
• Celkový náboj hradla 80 nC pro předvídatelnou spínací energii
• propustné napětí 1.2 V minimalizuje pokles vodivosti diody

Aplikace

• Vhodné pro vysokoproudé napájecí zdroje a měniče
• Ideální pro stupně pohonu motoru vyžadující velký proud
• Používá se pro distribuci napájení serverů a přepínání sběrnic
• Lze použít pro telekomunikační usměrňovače a měniče
• Vhodné pro průmyslové spínání při náročných teplotách

Jaké limity napětí hradla musí být dodržovány pro bezpečný provoz?

Hradlo by nemělo překročit limit 20 V Vgs, aby se zabránilo poškození hradla.

Jak snáší extrémní teplotní prostředí?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až +150 °C pro použití v širokém teplotním rozsahu.

Jaká metoda montáže je vyžadována pro montáž?

Zařízení je určeno pro povrchovou montáž v rozměru TO-263.

Jaké vodivé chování mohou konstruktéři očekávat od vlastní diody?

Charakteristika přímého vedení je specifikována jako 1,2 V Vf pro proudový tok související s diodou.

Jakou polaritu kanálu má zařízení pro integraci obvodu?

Používá konfiguraci N-kanálu pro konvenční spínání high-side nebo low-side.