MOSFET Typ N-kanálový 1200 V Infineon, TO-247 N
- Skladové číslo RS:
- 258-3763
- Výrobní číslo:
- IMZ120R060M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
4 330,41 Kč
(bez DPH)
5 239,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 60 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 144,347 Kč | 4 330,41 Kč |
| 60 - 60 | 137,134 Kč | 4 114,02 Kč |
| 90 + | 131,355 Kč | 3 940,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3763
- Výrobní číslo:
- IMZ120R060M1HXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9.8mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 5.2V | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9.8mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 5.2V | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
SiC MOSFET Infineon CoolSiC 1200 V, 60 mΩ v pouzdru TO247-4 je postaven na nejmodernějším polovodičovém procesu, který je optimalizován pro kombinaci výkonu a spolehlivosti. V porovnání s tradičními přepínači na bázi křemíku, jako jsou IGBT a MOSFET, nabízí SiC MOSFET řadu výhod. Patří mezi ně nejnižší úrovně náboje hradla a kapacity zařízení pozorované u spínačů 1200 V, žádné ztráty zpětného zotavení vnitřní komutační diody, nízké ztráty při spínání nezávislé na teplotě a bezprahová charakteristika zapnutého stavu. Transistory MOSFET CoolSiC jsou ideální pro topologie spínání tvrdého a rezonančního typu, jako jsou obvody s korekcí výkonového faktoru, obousměrné topologie a měniče DC/DC nebo měniče DC/AC.
Široký rozsah napětí hradla-zdroje
Robustní dioda s tělem s nízkými ztrátami pro tvrdé přepínání
Ztráty při spínání při vypnutí nezávislé na teplotě
Nejvyšší účinnost
Snížené chladicí úsilí
Související odkazy
- MOSFET IMZ120R060M1HXKSA1 Typ N-kanálový 1200 V Infineon, TO-247 N
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 81 A 1200 V, TO-247
- řada: IMZ1 MOSFET Typ N-kanálový 52 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: IMZ1 MOSFET Typ N-kanálový 56 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: IMZ1 MOSFET Typ N-kanálový 4.7 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: IMW1 MOSFET Typ N-kanálový 13 A 1200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IMZ1 MOSFET Typ N-kanálový 13 A 1200 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: IMW1 MOSFET Typ N-kanálový 4.7 A 1200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení