řada: IMW1 MOSFET Typ N-kanálový 13 A 1200 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

2 285,25 Kč

(bez DPH)

2 765,16 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 780 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3076,175 Kč2 285,25 Kč
60 - 12074,232 Kč2 226,96 Kč
150 +72,371 Kč2 171,13 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
222-4857
Výrobní číslo:
IMW120R220M1HXKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

13A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ balení

TO-247

Řada

IMW1

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

22mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Infineon CoolSiC™ 1200 v, 220 mΩ SIC MOSFET v pouzdru TO247-3 staví na nejmodernějším procesu příkopu polovodičů optimalizovaném pro kombinaci výkonu a spolehlivosti. Ve srovnání s tradičními spínači na bázi křemíku (si), jako jsou IGBT a MOSFET, nabízí MOSFET řadu výhod. Patří mezi ně nejnižší úrovně nabití hradla a kapacity zařízení pozorované ve spínačích 1200 v, žádné ztráty zpětného zotavení interní diody těla odolné vůči komutaci, teplotně nezávislé nízké ztráty spínání a bezprahové vlastnosti ve stavu.

Nejlepší ve třídě přepínání a vedení ztráty

Referenční hodnota vysokého prahu napětí, Vth > 4 V.

0V napětí na vypínači hradla pro snadné a jednoduché ovládání hradla

Široký rozsah napětí hradla

Robustní a nízkoztrátová tělní dioda určená pro tvrdou komutaci

Ztráty při vypínání nezávislé na teplotě

Související odkazy