řada: HEXFET MOSFET IRFS3107TRLPBF Typ N-kanálový 230 A 75 V Infineon, TO-263
- Skladové číslo RS:
- 257-9420
- Výrobní číslo:
- IRFS3107TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
140,30 Kč
(bez DPH)
169,76 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 96 jednotka(y) budou odesílané od 20. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 140,30 Kč |
| 10 - 24 | 126,22 Kč |
| 25 - 49 | 117,33 Kč |
| 50 - 99 | 109,42 Kč |
| 100 + | 102,51 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9420
- Výrobní číslo:
- IRFS3107TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 230A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 370W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 230A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 370W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRFS je 75V jednoduchý n-kanálový výkonový HEXFET mosfet v pouzdru D2 Pak.
Vylepšená odolnost proti hradlům, lavinám a dynamickým dV/dt
Plně charakterizovaná kapacita a lavinový SOA
Vylepšená dioda těla dV/dt a dI/dt s bezolovnatou funkcí
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 230 A 75 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 80 A 75 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 120 A 75 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRFS3607TRLPBF Typ N-kanálový 80 A 75 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRFB3307PBF Typ N-kanálový 120 A 75 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET Výkonový MOSFET IRF2807ZSTRLPBF Typ N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 170 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový