MPN

řada: HEXFET MOSFET IRFS3107TRLPBF N-kanálový 230 A 75 V Infineon, TO-263

Name: řada: HEXFET MOSFET IRFS3107TRLPBF N-kanálový 230 A 75 V Infineon, TO-263
Brand: Infineon
SKU: 257-9420
Availability: InStock

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

140,30 Kč

(bez DPH)

169,76 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

*orientační cena

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	230A
	Maximální napětí na zdroji Vds	75V
	Řada	HEXFET
	Typ balení	TO-263
	Typ montáže	Povrch
	Maximální odpor zdroje Rds	3mΩ
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	370W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	160nC
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 230A
	Maximální napětí na zdroji Vds 75V
	Řada HEXFET
	Typ balení TO-263
	Typ montáže Povrch
	Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 370W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 160nC
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

Řada Infineon IRFS je 75V jednoduchý n-kanálový výkonový HEXFET mosfet v pouzdru D2 Pak.

Vylepšená odolnost proti hradlům, lavinám a dynamickým dV/dt

Plně charakterizovaná kapacita a lavinový SOA

Vylepšená dioda těla dV/dt a dI/dt s bezolovnatou funkcí

Související odkazy