řada: HEXFET MOSFET IRFB3307PBF Typ N-kanálový 120 A 75 V Infineon, TO-263
- Skladové číslo RS:
- 257-5799
- Výrobní číslo:
- IRFB3307PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
130,42 Kč
(bez DPH)
157,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 956 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 65,21 Kč | 130,42 Kč |
| 20 - 48 | 58,785 Kč | 117,57 Kč |
| 50 - 98 | 54,835 Kč | 109,67 Kč |
| 100 - 198 | 51,625 Kč | 103,25 Kč |
| 200 + | 47,55 Kč | 95,10 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5799
- Výrobní číslo:
- IRFB3307PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 120A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Montáž na plošný spoj | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6.3mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 200W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 120A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Montáž na plošný spoj | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6.3mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 200W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada výkonových MOSFETů Infineon strongIRFET je optimalizována pro nízký RDS a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Průmyslové standardní průchozí napájecí pouzdro
Vysoký jmenovitý proud
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 120 A 75 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 80 A 75 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 230 A 75 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRFS3607TRLPBF Typ N-kanálový 80 A 75 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRFS3107TRLPBF Typ N-kanálový 230 A 75 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET Výkonový MOSFET IRF2807ZSTRLPBF Typ N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 75 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 170 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový