řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 17 A 75 V Infineon, PQFN
- Skladové číslo RS:
- 257-9370
- Výrobní číslo:
- IRFH5007TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 257-9370
- Výrobní číslo:
- IRFH5007TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 17 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 75 V | |
| Typ balení | PQFN | |
| Přímé napětí (Vf) | 1.3 V | |
| Délka | 6 mm | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 5.9 mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány (Vgs) | 25 V | |
| Maximální provozní teplota | 150 °C | |
| Maximální ztrátový výkon (Pd) | 250 W | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Typický náboj brány (Qg) @ Vgs | 65 nC | |
| Šířka | 5 mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada HEXFET | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 17 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 75 V | ||
Typ balení PQFN | ||
Přímé napětí (Vf) 1.3 V | ||
Délka 6 mm | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 5.9 mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány (Vgs) 25 V | ||
Maximální provozní teplota 150 °C | ||
Maximální ztrátový výkon (Pd) 250 W | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Typ montáže Povrch | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Typický náboj brány (Qg) @ Vgs 65 nC | ||
Šířka 5 mm | ||
The Infineon IRFH series is the 75V single n channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 5x6 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Industry standard surface mount power package
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Softer body diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFH5007TRPBF N-kanálový 17 A 75 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 88 A 100 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 21 A 30 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 3.2 A 100 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 117 A 40 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 40 A 60 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 49 A 20 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 259 A 40 V Infineon, PQFN
