řada: HEXFET MOSFET IRF7820TRPBF Typ N-kanálový 3.7 A 200 V Infineon, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 257-9320
- Výrobní číslo:
- IRF7820TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
229,71 Kč
(bez DPH)
277,95 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 645 jednotka(y) budou odesílané od 22. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 45,942 Kč | 229,71 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9320
- Výrobní číslo:
- IRF7820TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 78mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 330mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení SO-8 | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 78mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 330mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRF je 200V jednoduchý n-kanálový výkonový HEXFET mosfet v pouzdru SO 8.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Normální úroveň je optimalizována pro napětí pohonu hradla 10 V
Pouzdro pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Možnost pájení vlnou
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.7 A 200 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 5 A Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový -8 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRF7205TRPBF Typ P-kanálový 5 A Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRF7328TRPBF Typ N-kanálový -8 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový -7.4 A -12 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový -9.2 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 10 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový