řada: HEXFET MOSFET IRF7480MTRPBF N-kanálový 217 A 40 V Infineon, DirectFET
- Skladové číslo RS:
- 257-9314
- Výrobní číslo:
- IRF7480MTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
159,56 Kč
(bez DPH)
193,06 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 754 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 79,78 Kč | 159,56 Kč |
| 20 - 48 | 71,755 Kč | 143,51 Kč |
| 50 - 98 | 66,935 Kč | 133,87 Kč |
| 100 - 198 | 62,245 Kč | 124,49 Kč |
| 200 + | 58,045 Kč | 116,09 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9314
- Výrobní číslo:
- IRF7480MTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 217A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | DirectFET | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.2mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 123nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 96W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 217A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení DirectFET | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.2mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 123nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 96W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRF je 40V jednoduchý n-kanálový výkonný IRFET mosfet v přímém pouzdru FET ME. Výkonná řada IRFET Power Mosfet je optimalizována pro nízký RDS (zapnutí) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC. Mezi konečné aplikace patří bezdrátové elektrické a zahradnické nářadí, lehká elektrická vozidla a elektrická kola vyžadující vysokou úroveň odolnosti a energetické účinnosti.
Možnost chlazení na dvou stranách
Nízká výška pouzdra 0,7 mm
Pouzdro s nízkou parazitní indukcí (1 až 2 nH)
100% bezolovnatý (bez výjimky ROHS)
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 217 A 40 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 375 A 40 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET IRL7472L1TRPBF N-kanálový 375 A 40 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 124 A 100 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový -160 A -30 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET IRF7769L1TRPBF N-kanálový 124 A 100 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET IRF9383MTRPBF N-kanálový -160 A -30 V Infineon, DirectFET
- řada: DirectFET DirectFET, počet kolíků: 15 kolíkový