řada: HEXFET MOSFET IRF200B211 N-kanálový 12 A 200 V Infineon, TO-220

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (5 jednotky/-ek, v balení po 5 ks)*

137,58 Kč

(bez DPH)

166,47 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 2 905 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4527,516 Kč137,58 Kč
50 - 12024,502 Kč122,51 Kč
125 - 24522,822 Kč114,11 Kč
250 - 49521,144 Kč105,72 Kč
500 +19,81 Kč99,05 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
257-9279
Výrobní číslo:
IRF200B211
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

12A

Maximální napětí na zdroji Vds

200V

Typ balení

TO-220

Řada

HEXFET

Typ montáže

Průchozí otvor

Maximální odpor zdroje Rds

170mΩ

Přímé napětí Vf

1.3V

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Řada Infineon IRF je součástí řady IR Mosfet výkonových Mosfet, která využívá osvědčené křemíkové procesy a nabízí návrhářům širokou škálu zařízení pro podporu různých aplikací, jako jsou stejnosměrné motory, měniče, SMPS, osvětlení, spínače zátěže a také aplikace napájené baterií.

Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů

Kvalifikace produktu podle normy JEDEC

Průmyslové standardní průchozí napájecí pouzdro

Pouzdro s vysokou odolností vůči proudu

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.