řada: HEXFET MOSFET IRFB4127PBF N-kanálový 76 A 200 V Infineon, TO-220 Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 257-5807
- Výrobní číslo:
- IRFB4127PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
319,62 Kč
(bez DPH)
386,74 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 788 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 159,81 Kč | 319,62 Kč |
| 20 - 48 | 138,815 Kč | 277,63 Kč |
| 50 - 98 | 129,43 Kč | 258,86 Kč |
| 100 - 198 | 119,92 Kč | 239,84 Kč |
| 200 + | 111,89 Kč | 223,78 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5807
- Výrobní číslo:
- IRFB4127PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 76A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Montáž na plošný spoj | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 20mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 76A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Montáž na plošný spoj | ||
Maximální odpor zdroje Rds 20mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální napětí drain-zdroj 200 V, maximální ztrátový výkon 375 W – IRFB4127PBF
Tento MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor s režimem zesílení navržený pro montáž na PCB v pouzdru TO-220. Je určen pro napájecí spínání a řídicí úkoly, kde je vyžadována značná manipulace s proudem a tepelná kapacita, a pracuje v rozšířeném průmyslovém teplotním rozsahu při splnění omezení RoHS.
Charakteristiky a výhody:
• Rds(on) 20 mΩ, což umožňuje snížení ztrát při vedení
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 76 A podporující přepínání při vysoké zátěži
• Jmenovité napětí 200 V umožňující vysokonapěťové aplikace
• Rozptýlení výkonu 375 W zlepšuje tepelný prostor
• směrové napětí 1.3 V minimalizuje pokles napájení hradla
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 76 A podporující přepínání při vysoké zátěži
• Jmenovité napětí 200 V umožňující vysokonapěťové aplikace
• Rozptýlení výkonu 375 W zlepšuje tepelný prostor
• směrové napětí 1.3 V minimalizuje pokles napájení hradla
Aplikace
• Vhodné pro spínání napájecích zdrojů v průmyslových systémech
• Používá se s pohony motorů vyžadujícími vysoký proud
• Ideální pro měniče DC/DC na vysokonapěťových lištách
• Lze použít pro přepínání invertorových stupňů na PCB
• Používá se s pohony motorů vyžadujícími vysoký proud
• Ideální pro měniče DC/DC na vysokonapěťových lištách
• Lze použít pro přepínání invertorových stupňů na PCB
Jaké limity napětí hradla je třeba dodržovat?
Napětí mezi bránou a zdrojem nesmí překročit 20 V, aby nedošlo k poškození dielektrikum brány.
Jakému rozsahu teplot odolává během provozu?
Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C pro široké průmyslové použití.
Je zařízení vhodné pro povrchovou montáž na desky plošných spojů?
Je určen pro montáž na PCB v pouzdru TO-220 s průchozím otvorem pro bezpečné tepelné a mechanické upevnění.
Splňuje omezení v oblasti životního prostředí?
Součást je v souladu s RoHS a splňuje požadovaná omezení pro nebezpečné látky.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 76 A 200 V Infineon, TO-220 Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 25 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 26 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 9.3 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 200 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 56 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 65 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení