řada: HEXFET MOSFET IRFB4127PBF Typ N-kanálový 76 A 200 V Infineon, TO-220
- Skladové číslo RS:
- 257-5807
- Výrobní číslo:
- IRFB4127PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
161,30 Kč
(bez DPH)
195,18 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 826 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 80,65 Kč | 161,30 Kč |
| 20 - 48 | 70,15 Kč | 140,30 Kč |
| 50 - 98 | 65,33 Kč | 130,66 Kč |
| 100 - 198 | 60,39 Kč | 120,78 Kč |
| 200 + | 56,44 Kč | 112,88 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5807
- Výrobní číslo:
- IRFB4127PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 76A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Montáž na plošný spoj | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 20mΩ | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 76A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Montáž na plošný spoj | ||
Maximální odpor zdroje Rds 20mΩ | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada výkonových MOSFETů Infineon strongIRFET je optimalizována pro nízký RDS a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Průmyslové standardní průchozí napájecí pouzdro
Vysoký jmenovitý proud
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání níže <100 kHz
Měkčí dioda těla ve srovnání s předchozí křemíkovou generací
K dispozici široké portfolio
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 76 A 200 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 25 A 200 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 12 A 200 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4620PBF Typ N-kanálový 25 A 200 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRF200B211 Typ N-kanálový 12 A 200 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 185 A Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 65 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 25 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení