řada: HEXFET MOSFET IRF1018ESTRLPBF N-kanálový 79 A 60 V Infineon, TO-220
- Skladové číslo RS:
- 257-9268
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-513
- Výrobní číslo:
- IRF1018ESTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
148,45 Kč
(bez DPH)
179,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 5 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 29,69 Kč | 148,45 Kč |
| 50 - 120 | 26,43 Kč | 132,15 Kč |
| 125 - 245 | 24,948 Kč | 124,74 Kč |
| 250 - 495 | 23,168 Kč | 115,84 Kč |
| 500 + | 21,34 Kč | 106,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9268
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-513
- Výrobní číslo:
- IRF1018ESTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 79A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8.4mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 46nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 79A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8.4mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 46nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRF je 60V jednoduchý n-kanálový výkonový HEXFET mosfet v pouzdru D2 Pak.
Vylepšená odolnost proti hradlu, lavině a dynamickému dv/dt
Plně charakterizovaná kapacita a lavinový SOA
Vylepšená dioda těla dV/dt a dI/dt
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 79 A 60 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRF1018EPBF N-kanálový 79 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 79 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR1018ETRPBF N-kanálový 79 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 79 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 60 A 60 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRF60B217 N-kanálový 60 A 60 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 95 A 60 V Infineon, TO-220