řada: HEXFET MOSFET IRF1018EPBF Typ N-kanálový 79 A 60 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 145-9197
- Výrobní číslo:
- IRF1018EPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
474,25 Kč
(bez DPH)
573,85 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 18. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 9,485 Kč | 474,25 Kč |
| 100 - 200 | 8,838 Kč | 441,90 Kč |
| 250 - 450 | 8,601 Kč | 430,05 Kč |
| 500 - 1200 | 8,383 Kč | 419,15 Kč |
| 1250 + | 8,176 Kč | 408,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 145-9197
- Výrobní číslo:
- IRF1018EPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 79A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 9.02mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 79A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 9.02mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
Řízení motoru a synchronní snižovací tranzistor MOSFET AC-DC, Infineon
Ovládání MOTORU MOSFET
Společnost Infineon nabízí komplexní portfolio robustních zařízení MOSFET typu N-channel a P-channel pro aplikace řízení motorů.
Synchronní usměrňovač MOSFET
Portfolio synchronních zařízení MOSFET pro napájecí zdroje AC-DC podporuje požadavky zákazníků na vyšší hustotu energie, menší velikost, větší přenosnost a flexibilnější systémy.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 79 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 79 A 60 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRF1018ESTRLPBF Typ N-kanálový 79 A 60 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 171 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 62 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 260 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 130 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 84 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení