MOSFET SIHU5N50D-GE3 Typ N-kanálový 5.3 A 500 V Vishay, IPAK
- Skladové číslo RS:
- 256-7417
- Výrobní číslo:
- SIHU5N50D-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 256-7417
- Výrobní číslo:
- SIHU5N50D-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Typ balení | IPAK | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.033Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Typ balení IPAK | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.033Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový 500 V 5,3 A (Tc) 104 W (Tc) průchozí otvor TO-251AA společnosti Vishay Semiconductor a jeho aplikace jsou spotřebitelské elektronické displeje, serverové a telekomunikační napájecí zdroje, SMPS a průmyslové svařování, indukční ohřev, pohony motorů a nabíječky baterií.
Nízký odpor při zapnutí specifický pro danou oblast
Snížené kapacitní spínací ztráty
Vysoká odolnost tělesné diody
Optimální účinnost a provoz
Jednoduchý obvod pohonu hradla
Rychlé spínání
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 5.3 A 500 V Vishay, IPAK
- řada: SiHU5N80AE MOSFET SIHU5N80AE-GE3 Typ N-kanálový 4.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHU4N80AE MOSFET SIHU4N80AE-GE3 Typ N-kanálový 4.1 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHU2N80AE-GE3 Typ N-kanálový 2.9 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SI9945BDY-T1-GE3 Typ N-kanálový 5.3 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení Izolovaný
- řada: IRFU MOSFET Typ N-kanálový 2.4 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHU5N80AE MOSFET Typ N-kanálový 4.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHU4N80AE MOSFET Typ N-kanálový 4.1 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení