MOSFET SIHB24N65E-GE3 Typ N-kanálový 24 A 650 V Vishay, TO-263
- Skladové číslo RS:
- 256-7413
- Výrobní číslo:
- SIHB24N65E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
146,97 Kč
(bez DPH)
177,83 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 979 jednotka(y) budou odesílané od 25. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 146,97 Kč |
| 10 - 24 | 132,39 Kč |
| 25 - 99 | 125,48 Kč |
| 100 - 499 | 110,66 Kč |
| 500 + | 95,10 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 256-7413
- Výrobní číslo:
- SIHB24N65E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 24A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.033Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 24A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.033Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové mosfety řady Vishay Semiconductor E mají nízkou hodnotu zásluh (FOM) Ron x Qg a nízkou vstupní kapacitu (Ciss).
Snížené ztráty při spínání a vedení
Mimořádně nízký náboj hradla (Qg)
Jmenovitá hodnota lavinové energie (UIS)
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 24 A 650 V Vishay, TO-263
- řada: E Series MOSFET SIHB240N65E-GE3 N kanál-kanálový 16 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHB MOSFET SIHB085N60EF-GE3 Typ N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB120N60E-T1-GE3 Typ N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB120N60E-T5-GE3 Typ N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SIHB15N60E-GE3 Typ N-kanálový 15 A 600 V Vishay, TO-263
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení