řada: E Výkonový MOSFET SIHB15N60E-GE3 N-kanálový 15 A 600 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 256-7411
Výrobní číslo:: SIHB15N60E-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: E Výkonový MOSFET SIHB15N60E-GE3 N-kanálový 15 A 600 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (2 jednotky/-ek, v balení po 2 ks)*

145,43 Kč

(bez DPH)

175,97 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

986 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
2 +	72,715 Kč	145,43 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 256-7411
Výrobní číslo:: SIHB15N60E-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	15A
	Maximální napětí na zdroji Vds	600V
	Řada	E
	Typ balení	TO-263
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	0.28Ω
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	78nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	180W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu N
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 15A
	Maximální napětí na zdroji Vds 600V
	Řada E
	Typ balení TO-263
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 0.28Ω
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 78nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 180W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota +150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SIHB15N60E-GE3

Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady E, maximální zdrojové napětí vypouštění 600 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 15 A – SIHB15N60E-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové spínací zařízení navržené pro výkonovou elektroniku pro povrchovou montáž. Poskytuje vodivost N-kanálu vhodnou pro spínání a řízení napájení v průmyslových a komerčních sestavách a pracuje v širokém rozsahu okolních teplot pro náročné prostředí.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý vypouštěcí proud 600 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 15 A podporuje značné zátěžové proudy
• Rds(on) 0.28 Ω minimalizuje ztráty při vedení při zátěži
• Rozptýlení výkonu 180 W při vysokém tepelném namáhání
• Nabíjení hradla 78 nC při napětí 30 V Vgs umožňuje předvídat požadavky na pohon
• Pouzdro TO‐263 na povrchu zjednodušuje montáž PCB pro výkonové stupně

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové spínané napájecí zdroje
• Ideální pro přední spínací stupně motorového pohonu
• Používá se pro osvětlovací předřadníky a průmyslové ovládací prvky
• Lze použít pro převod energie v obnovitelných měničích
• Používá se s deskami pro řízení teploty pro vysokovýkonové moduly

Jaký rozsah napětí pohonu hradla je třeba dodržovat?

Zařízení toleruje napětí hradla až 30 V, takže budicí obvody musí zůstat v tomto limitu, aby se zabránilo přetížení hradla.

Jak tepelné prostředí ovlivňuje spolehlivost?

Spojky mohou pracovat v prostředí od -55 °C do +150 °C, což vyžaduje správný chladič nebo měď PCB pro trvale vysoký výkon.

Jaké úvahy o obalech existují při návrhu desek plošných spojů?

3kolíková konstrukce TO‐263 pro povrchovou montáž vyžaduje velké tepelné podložky a krátké silnoproudé dráhy, které snižují parazitní odpor a zlepšují chlazení.

Je vhodný pro aplikace automobilového hnacího ústrojí?

Není klasifikován podle automobilových norem, takže by se neměl používat tam, kde jsou vyžadovány kvalifikace specifické pro automobilový průmysl.