řada: E Výkonový MOSFET SIHB120N60E-T1-GE3 N-kanálový 25 A 650 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 228-2842
- Výrobní číslo:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
268,49 Kč
(bez DPH)
324,87 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 796 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 134,245 Kč | 268,49 Kč |
| 20 - 98 | 130,295 Kč | 260,59 Kč |
| 100 - 198 | 124,98 Kč | 249,96 Kč |
| 200 - 498 | 118,065 Kč | 236,13 Kč |
| 500 + | 111,275 Kč | 222,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 228-2842
- Výrobní číslo:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 25A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | E | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 120mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 179W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 25A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada E | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 120mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 179W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Vishay řady E, napětí zdroje vypouštění 650 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 25 A – SIHB120N60E-T1-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové zařízení s N-kanálem navržené pro spínání a převod výkonu v sestavách pro povrchovou montáž. Pracuje v rozšířeném teplotním rozsahu a je určen pro aplikace vyžadující významnou toleranci napětí a tepelný výkon v souladu se směrnicemi RoHS.
Charakteristiky a výhody:
• Odolnost 650 V odvod k zdroji umožňuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 25 A podporuje značné zátěžové proudy
• Rds(on) 120 mΩ snižuje ztráty při vedení v napájecích cestách
• Rozptýlení výkonu 179 W umožňuje udržitelnou tepelnou zátěž
• Tolerance hradla 30 V umožňuje robustní rozpětí hradlového pohonu
• Typický náboj hradla 30 nC pro předvídatelnou spínací energii
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 25 A podporuje značné zátěžové proudy
• Rds(on) 120 mΩ snižuje ztráty při vedení v napájecích cestách
• Rozptýlení výkonu 179 W umožňuje udržitelnou tepelnou zátěž
• Tolerance hradla 30 V umožňuje robustní rozpětí hradlového pohonu
• Typický náboj hradla 30 nC pro předvídatelnou spínací energii
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové napájecí zdroje a měniče
• Ideální pro spínací stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se pro převod DC/DC v telekomunikačních zařízeních
• Lze použít pro obvody s korekcí účiníku
• Vhodné pro spínání UPS a řízení baterií
• Ideální pro spínací stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se pro převod DC/DC v telekomunikačních zařízeních
• Lze použít pro obvody s korekcí účiníku
• Vhodné pro spínání UPS a řízení baterií
Jaký tepelný rozsah může toto zařízení tolerovat během provozu?
Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v náročných tepelných prostředích.
Jak je zařízení baleno pro montáž na desku plošných spojů?
Dodává se v pouzdru TO-263 pro povrchovou montáž se třemi svorkami pro efektivní montáž na desku a rozptyl tepla.
Jaké spínací chování lze očekávat v souvislosti s ovládáním hradla?
Díky maximálnímu napětí zdroje hradla 30 V a typickému náboji hradla 30 nC jsou požadavky na pohon hradla mírné a předvídatelné pro běžné obvody budiče hradla.
Je tento díl vhodný pro aplikace v automobilovém průmyslu?
Není určen pro automobilové normy, takže by se neměl používat tam, kde je vyžadována certifikace pro automobilový průmysl.
Související odkazy
- řada: E Výkonový MOSFET SIHB120N60E-T1-GE3 N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB120N60E-T5-GE3 N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Series MOSFET SIHB240N65E-GE3 N-kanálový 16 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SiHH080N60E-T1-GE3 N-kanálový 32 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHB MOSFET SIHB085N60EF-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHB24N65E-GE3 N-kanálový 24 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: E MOSFET SIHB30N60E-GE3 N-kanálový 29 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB24N80AE-GE3 N-kanálový 21 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení