řada: E MOSFET SIHB120N60E-T1-GE3 Typ N-kanálový 25 A 650 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 228-2842
- Výrobní číslo:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
268,49 Kč
(bez DPH)
324,872 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 796 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 134,245 Kč | 268,49 Kč |
| 20 - 98 | 130,295 Kč | 260,59 Kč |
| 100 - 198 | 124,98 Kč | 249,96 Kč |
| 200 - 498 | 118,065 Kč | 236,13 Kč |
| 500 + | 111,275 Kč | 222,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 228-2842
- Výrobní číslo:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 25A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | E | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 120mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 179W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 25A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada E | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 120mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 30nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 179W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET řady Vishay E redukuje ztráty při spínání a vedení.
Nízký parametr Ron x Qg (FOM)
Nízká efektivní kapacita (co(er))
Související odkazy
- řada: E MOSFET SIHB120N60E-T5-GE3 Typ N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHH080N60E-T1-GE3 Typ N-kanálový 32 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: E Series MOSFET SIHB240N65E-GE3 N kanál-kanálový 16 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET Typ N-kanálový 32 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHB MOSFET SIHB085N60EF-GE3 Typ N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB11N80AE-GE3 Typ N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB17N80AE-GE3 Typ N-kanálový 15 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení