řada: SI1427EDH MOSFET SI1427EDH-T1-GE3 Typ P-kanálový -2 A -20 V Vishay, SC-70, počet kolíků: 6 kolíkový

Skladové číslo RS:: 256-7341
Výrobní číslo:: SI1427EDH-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: SI1427EDH MOSFET SI1427EDH-T1-GE3 Typ P-kanálový -2 A -20 V Vishay, SC-70, počet kolíků: 6 kolíkový

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

116,20 Kč

(bez DPH)

140,60 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

2 825 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
25 +	4,648 Kč	116,20 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 256-7341
Výrobní číslo:: SI1427EDH-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	-2A
	Maximální napětí na zdroji Vds	-20V
	Typ balení	SC-70
	Řada	SI1427EDH
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor zdroje Rds	0.165Ω
	Maximální ztrátový výkon Pd	2.8W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	7.6nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	-1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	8V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	1.1mm
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -2A
	Maximální napětí na zdroji Vds -20V
	Typ balení SC-70
	Řada SI1427EDH
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor zdroje Rds 0.165Ω
	Maximální ztrátový výkon Pd 2.8W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.6nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf -1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 1.1mm
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SI1427EDH-T1-GE3

MOSFET řady Vishay SI1427EDH, maximální zdrojové napětí vypouštění -20 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud -2 A – SI1427EDH-T1-GE3

Tento p-kanálový MOSFET je kompaktní tranzistor pro povrchovou montáž určený pro spínací a analogové aplikace v elektronických systémech. Funguje jako zařízení P-kanálu s maximálním napětím odtoku zdroje -20 V, vhodné pro nízkonapěťové návrhy, které vyžadují řízený tok proudu a výkon spínání řízeného hradlem. Zařízení je zaměřeno na profesionální aplikace v automatizaci a elektrických systémech, kde je důležitý prostor na desce a tepelná odolnost.

Charakteristiky a výhody:

• Nízké hodnoty Rds(on) 0,165 Ω pro nižší ztráty při vedení • Maximální nepřetržitý vypouštěcí proud -2 A podporuje mírné zátěžové proudy • Maximální ztrátový výkon 2,8 W umožňuje trvalý provoz při zátěži • Typické nabití hradla 7,6 nC umožňuje efektivní přepínání pohonu hradla • Maximální provozní teplota +150 °C pro prostředí s vysokými teplotami • Certifikace RoHS pro dodržování limitů nebezpečných látek

Aplikace

• Vhodné pro vysokoteplotní obvody řízení napájení • Ideální pro spínání nízkonapěťové zátěže v automatizačních zařízeních • Používá se pro ochranu polarity v systémech napájených baterií • Lze použít pro analogové spínání řízené bránou v řídicích modulech • Vhodné pro kompaktní konstrukce pro povrchovou montáž vyžadující zařízení s P-kanálem

Jakou metodu montáže používá pro montáž PCB?

Dodává se v balení SC‐70 určeném pro povrchovou montáž, optimalizovaném pro automatizované procesy montáže pick‐and‐place.

Jaký rozsah napětí hradla je přípustný pro spolehlivý provoz?

Zařízení přijímá maximální napětí brány-zdroje 8 V

ovládání brány by mělo zůstat v rámci tohoto limitu, aby se zabránilo poškození.

Jak se chová v podmínkách s nízkým předpětím?

Specifikované dopředné napětí je -1,2 V, což označuje očekávaný pokles během vedení v podmínkách dopředu.

Jaké jsou limity okolní teploty pro skladování a použití?

Zařízení je specifikováno pro provoz při teplotách do -55 °C a až +150 °C, což pokrývá široký rozsah provozních teplot.