řada: Si1441EDH MOSFET SI1441EDH-T1-GE3 Typ P-kanálový 4 A 20 V Vishay, SC-70, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 159-6522
- Výrobní číslo:
- SI1441EDH-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (3000 jednotky/-ek, v kotouči po 3000 ks)*
15 558,00 Kč
(bez DPH)
18 825,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 05. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 5,186 Kč | 15 558,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 159-6522
- Výrobní číslo:
- SI1441EDH-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SC-70 | |
| Řada | Si1441EDH | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 100mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.8W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 22nC | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -10V, +10V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.35mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2.2mm | |
| Výška | 1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SC-70 | ||
Řada Si1441EDH | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 100mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.8W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 22nC | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -10V, +10V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.35mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2.2mm | ||
Výška 1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: Si1441EDH MOSFET SI1441EDH-T1-GE3 Typ P-kanálový 4 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: SiA471DJ MOSFET SiA471DJ-T1-GE3 Typ P-kanálový 30.3 A 30 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIA447DJ-T1-GE3 Typ P-kanálový 12 A 12 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: SiA461DJ MOSFET SIA461DJ-T1-GE3 Typ P-kanálový 12 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: ThunderFET MOSFET SIA416DJ-T1-GE3 N-kanálový 11.3 A 100 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: SIA MOSFET SIA4446DJ-T1-GE3 N-kanálový 31 A 40 V Vishay počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: SI1427EDH MOSFET SI1427EDH-T1-GE3 Typ P-kanálový -2 A -20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SI1021R-T1-GE3 Typ P-kanálový 190 A 60 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení