AEC-Q101 MOSFET SQS141ELNW-T1_GE3 Typ N-kanálový 101 A -40 V Vishay, PowerPAK 1212-8SLW, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 252-0318
- Výrobní číslo:
- SQS141ELNW-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
219,09 Kč
(bez DPH)
265,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 770 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 21,909 Kč | 219,09 Kč |
| 100 - 240 | 20,60 Kč | 206,00 Kč |
| 250 - 490 | 18,624 Kč | 186,24 Kč |
| 500 - 990 | 17,537 Kč | 175,37 Kč |
| 1000 + | 16,426 Kč | 164,26 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 252-0318
- Výrobní číslo:
- SQS141ELNW-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 101A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -40V | |
| Typ balení | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.01mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 192W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 94nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.15mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 101A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -40V | ||
Typ balení PowerPAK 1212-8SLW | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.01mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 192W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 94nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.15mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Automobilové tranzistory MOSFET Vishay jsou vyráběny na vyhrazeném procesním toku a jsou stále robustní. Jmenovitá maximální teplota spojení 175 °C, řada SQ Vishay Siliconix s certifikací AEC-Q101 nabízí technologie N- a P-kanálového tranzistoru FET s nízkým odporem při zapnutí v pouzdrech SO bez obsahu olova (Pb) a halogenů.
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET Gen IV s certifikací AEC-Q101, 100 % Rg a testován podle normy UIS, zvlhčitelné boční svorky, nízký tepelný odpor s profilem 0,75 mm
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 101 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET SQS140ENW-T1_GE3 Typ N-kanálový 214 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET SQS142ELNW-T1_GE3 Typ N-kanálový 110 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET SQS160ELNW-T1_GE3 Typ N-kanálový 141 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PowerPAK 1212-8SLW, počet kolíků:
- AEC-Q101 PowerPAK 1212-8SLW, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 PowerPAK 1212-8SLW, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 PowerPAK 1212-8SLW,