AEC-Q101, řada: IAUZ MOSFET F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Typ N-kanálový 100 A 1200 V, AG-EASY2B Infineon, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 250-0218
- Výrobní číslo:
- F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 jednotka)*
2 483,59 Kč
(bez DPH)
3 005,14 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 16 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 + | 2 483,59 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 250-0218
- Výrobní číslo:
- F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Řada | IAUZ | |
| Typ balení | AG-EASY2B | |
| Typ montáže | Šroubová svorka | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Řada IAUZ | ||
Typ balení AG-EASY2B | ||
Typ montáže Šroubová svorka | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACK™ 2B 1200 v / 8 mΩ 3-Level modul s CoolSiC™ MOSFET s vylepšenou generací 1, integrovaným NTC teplotním čidlem, předinstalovaným tepelně vodíkovým materiálem a lisovanou kontaktní technologií.
Vysoká proudová hustota
Nízké ztráty při spínání
Robustní montáž díky integrovaným montážním svorkám
Integrovaný snímač teploty NTC
Kontaktní technologie pressfit
Předaplikovaný materiál tepelného rozhraní
Související odkazy
- AEC-Q101 AG-EASY2B Infineon, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: FF6MR MOSFET FF6MR20W2M1HB70BPSA1 Typ N-kanálový 150 A 1200 V Infineon, AG-EASY2B Vylepšení
- řada: XHP 2 Moduly MOSFET FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1 N kanál-kanálový 160 A 1200 V počet kolíků: 8
- řada: F4 MOSFET F445MR12W1M1B76BPSA1 Typ N-kanálový 25 A 1200 V počet kolíků: 2 kolíkový Izolovaný
- Infineon IGBT 3fázový 35 A 1200 V, AG-EASY2B-711 Šasi
- Infineon IGBT FP35R12W2T7BPSA1 3fázový 35 A 1200 V, AG-EASY2B-711 Šasi
- Infineon IGBT Úplný můstek 75 A 1200 V, AG-EASY2B-711 Šasi
- Infineon IGBT modul Typ N-kanálový 54 A 1200 V, AG-EASY2B-1 Svorka