řada: F4 MOSFET F445MR12W1M1B76BPSA1 N-kanálový 25 A 1200 V, AG-EASY2B Infineon, počet kolíků: 2 kolíkový Izolovaný

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 tác po 24 kusech)*

36 184,272 Kč

(bez DPH)

43 782,96 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 15. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za kus*
24 - 241 507,678 Kč36 184,27 Kč
48 - 481 432,291 Kč34 374,98 Kč
72 +1 361,423 Kč32 674,15 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
234-8967
Výrobní číslo:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

25A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Řada

F4

Typ balení

AG-EASY2B

Počet kolíků

2

Maximální odpor zdroje Rds

45mΩ

Maximální napětí zdroje brány Vgs

15V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Typický náboj brány Qg @ Vgs

0.062μC

Přímé napětí Vf

5.65V

Maximální provozní teplota

150°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Šířka

33.8mm

Normy/schválení

60749 and 60068, IEC 60747

Výška

16.4mm

Délka

62.8mm

Automobilový standard

Ne

Modul IGBT Infineon má 4 N-kanál (poloviční můstek) Typ FET pracuje s 1200V drain na zdrojové napětí a 75A kontinuální vypouštěcí proud.

Montáž na rám

Provozní teplota –40 °C až 150 °C.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.