řada: F4 MOSFET F445MR12W1M1B76BPSA1 Typ N-kanálový 25 A 1200 V, AG-EASY2B Infineon, počet kolíků: 2 kolíkový Izolovaný

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tác po 24 kusech)*

41 964,936 Kč

(bez DPH)

50 777,568 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
24 - 241 748,539 Kč41 964,94 Kč
48 - 481 661,106 Kč39 866,54 Kč
72 +1 578,937 Kč37 894,49 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
234-8967
Výrobní číslo:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

25A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Řada

F4

Typ balení

AG-EASY2B

Počet kolíků

2

Maximální odpor zdroje Rds

45mΩ

Typický náboj brány Qg @ Vgs

0.062μC

Přímé napětí Vf

5.65V

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Maximální napětí zdroje brány Vgs

15 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

33.8 mm

Výška

16.4mm

Délka

62.8mm

Normy/schválení

60749 and 60068, IEC 60747

Automobilový standard

Ne

Modul IGBT Infineon má 4 N-kanál (poloviční můstek) Typ FET pracuje s 1200V drain na zdrojové napětí a 75A kontinuální vypouštěcí proud.

Montáž na rám

Provozní teplota –40 °C až 150 °C.

Související odkazy