AEC-Q101, řada: STD MOSFET Typ N-kanálový 80 A 35 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 249-6745P
- Výrobní číslo:
- STD80N240K6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 5 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
564,40 Kč
(bez DPH)
682,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 413 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 5 - 9 | 112,88 Kč |
| 10 - 24 | 101,76 Kč |
| 25 - 49 | 91,64 Kč |
| 50 + | 87,19 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 249-6745P
- Výrobní číslo:
- STD80N240K6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 35V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | STD | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.01mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 70W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | UL | |
| Výška | 2.4mm | |
| Délka | 10.1mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 35V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada STD | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.01mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 70W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení UL | ||
Výška 2.4mm | ||
Délka 10.1mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics je velmi vysoké napětí N-kanál napájení MOSFET je navržen s použitím špičkové technologie OK K6 založené na super technologii křižovatky. Výsledkem je nejlepší odolnost ve své třídě pro každou oblast a nabíjení hradla pro aplikace vyžadující vynikající hustotu výkonu a vysokou účinnost.
Celosvětově nejlepší RDS (on) x oblasti
Celosvětově nejlepší FOM (hodnota zásluh)
Mimořádně nízké nabití hradla
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Ochrana Zenerovou diodou