MOSFET MSC080SMA330B4 N-kanálový 41 A 3300 V., TO-247

Produktová řada MOSFET z karbidu křemíku (SIC) společnosti Microship zvyšuje výkon nad řešeními MOSFET křemíku a IGBT křemíku a zároveň snižuje celkové náklady na vlastnictví pro vysokonapěťové aplikace. Zařízení je 3300 v, 80 mΩ SIC MOSFET v BALENÍ-247 4-svodového se zdrojovým smyslem. Má nízkou kapacitu a nízké nabití hradla s vysokou spínací rychlostí v důsledku nízkého vnitřního odporu hradla (ESR). Umožňuje stabilní provoz při vysoké teplotě spoje, tj. (max) 150 °C. Jedná se o rychlou a spolehlivou tělní diodu s vynikající lavinovou odolností.

Vysoká účinnost umožňující lehčí a kompaktnější systém
Jednoduchá jízda a snadné paralelní
Lepší tepelné schopnosti a nižší ztráty při spínání