řada: BSZ MOSFET + Dioda BSZ0503NSIATMA1 Typ N-kanálový 212 A 40 V Infineon, SuperSO8 5 x 6, počet kolíků: 8 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 244-1566
- Výrobní číslo:
- BSZ0503NSIATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
129,92 Kč
(bez DPH)
157,205 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 4 625 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 25,984 Kč | 129,92 Kč |
| 50 - 120 | 22,576 Kč | 112,88 Kč |
| 125 - 245 | 21,044 Kč | 105,22 Kč |
| 250 - 495 | 19,514 Kč | 97,57 Kč |
| 500 + | 18,18 Kč | 90,90 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 244-1566
- Výrobní číslo:
- BSZ0503NSIATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET + Dioda | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 212A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | SuperSO8 5 x 6 | |
| Řada | BSZ | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.7mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET + Dioda | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 212A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení SuperSO8 5 x 6 | ||
Řada BSZ | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.7mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon má MOSFET, který je OptMOS napájení MOSFET, integrované monolitické Schottkyho diody a optimalizován pro vysoce výkonný buck převodník.
N kanál
Špičkový tepelný odpor
Povrchová vrstva bez obsahu olova;Vyhovuje RoHS
Bez halogenů podle normy IEC61249-2-21
Související odkazy
- řada: BSZ MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 212 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: BSZ MOSFET Typ N-kanálový 212 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: BSZ MOSFET BSZ033NE2LS5ATMA1 Typ N-kanálový 212 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: BSZ MOSFET BSZ017NE2LS5IATMA1 Typ N-kanálový 212 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: BSZ MOSFET BSZ040N06LS5ATMA1 Typ N-kanálový 212 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: BSZ MOSFET BSZ075N08NS5ATMA1 Typ N-kanálový 212 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: BSZ MOSFET BSZ0901NSATMA1 Typ N-kanálový 212 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: BSZ MOSFET BSZ063N04LS6ATMA1 Typ N-kanálový 212 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N