řada: BSZ MOSFET N-kanálový 212 A 60 V Infineon, SuperSO8 5 x 6, počet kolíků: 8 kolíkový N

Skladové číslo RS:: 241-9680
Výrobní číslo:: BSZ040N06LS5ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: BSZ MOSFET N-kanálový 212 A 60 V Infineon, SuperSO8 5 x 6, počet kolíků: 8 kolíkový N

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

64 380,00 Kč

(bez DPH)

77 900,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

5 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	12,876 Kč	64 380,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 241-9680
Výrobní číslo:: BSZ040N06LS5ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	212A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Řada	BSZ
	Typ balení	SuperSO8 5 x 6
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.7mΩ
	Režim kanálu	N
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	80nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	81W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 212A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Řada BSZ
	Typ balení SuperSO8 5 x 6
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.7mΩ
	Režim kanálu N
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 81W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota +150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - BSZ040N06LS5ATMA1

Tranzistor MOSFET Infineon řady BSZ, maximální zdrojové napětí vypouštění 60 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 212 A – BSZ040N06LS5ATMA1

Tento MOSFET je vysokoproudový N-kanálový tranzistor navržený pro povrchovou montáž a přepínací aplikace. Pracuje v rozšířeném rozsahu okolních teplot a je určen pro konstrukce, které vyžadují nízké vodivé ztráty a významný nepřetržitý vypouštěcí proud v kompaktním pouzdru.

Charakteristiky a výhody:

• Rds(on) 0.7 mΩ snižuje ztráty při vedení při provozu s vysokým proudem
• nepřetržitý vypouštěcí proud 212 A podporuje vysoké proudové zatížení
• Maximální ztrátový výkon 81 W zvládá tepelné namáhání při pracovních cyklech
• Proudové napětí 1,2 V zlepšuje účinnost v synchronních obvodech
• Typické náboje hradla 80 nC umožňuje předvídatelné spínací chování
• Ochrana hradla 20 V pomáhá zabránit nadměrnému namáhání hradla

Aplikace

• Vhodné pro vysokoproudé moduly pro převod napájení
• Ideální pro synchronní snižující měniče DC/DC
• Používá se se stupni pohonu motoru vyžadujícími velký vypouštěcí proud
• Lze použít pro serverové rozvodné jednotky
• Vhodné pro obecné spínání v napájecích zdrojích pro povrchovou montáž

Jaký tepelný rozsah může tolerovat během provozu?

Může pracovat v širokém rozsahu okolního prostředí od -55 °C do +150 °C.

Jaké pouzdro a montážní formát používá?

Dodává se v kompaktním pouzdru SuperSO8 5x6 pro povrchovou montáž.

Jaké limity napětí platí mezi vypouštěním a zdrojem?

Maximální napětí odběru k zdroji, které odolává, je 60 V.

Jak hradlo odolává vstupním přechodovým jevům?

Zařízení omezuje vychýlení hradla na maximální napětí hradla-zdroj 20 V.

Je v souladu s běžnými omezeními v oblasti životního prostředí?

Je schválen tak, aby splňoval požadavky směrnice RoHS.