AEC-Q101, řada: IRFH MOSFET IRL100HS121 Typ N-kanálový 11 A 40 V Infineon, PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 243-9301
- Výrobní číslo:
- IRL100HS121
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
147,21 Kč
(bez DPH)
178,125 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 860 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 29,442 Kč | 147,21 Kč |
| 50 - 120 | 26,182 Kč | 130,91 Kč |
| 125 - 245 | 24,502 Kč | 122,51 Kč |
| 250 - 495 | 23,02 Kč | 115,10 Kč |
| 500 + | 21,242 Kč | 106,21 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 243-9301
- Výrobní číslo:
- IRL100HS121
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | PQFN | |
| Řada | IRFH | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.7mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení PQFN | ||
Řada IRFH | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.7mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon IRL100HS121 N-kanálový výkonový MOSFET je k dispozici ve třech různých napěťových třídách (60V, 80V a 100V), nové výkonové tranzistory MOSFET Infineon s logickými hladovami jsou vysoce vhodné pro bezdrátové nabíjení, telekomunikační a přechodové aplikace. Balíček PQFN 2x2 je vhodný zejména pro vysokorychlostní přepínání a aplikace s kritickým tvarovým faktorem. Umožňuje vyšší hustotu výkonu a vyšší efektivitu a také významnou úsporu místa.
Nejnižší FOM (R DS(on) x Q g/gd)
Optimalizované Q g, C oss a Q rr pro rychlé přepínání
Kompatibilita s logickou úrovní
Malé balení PQFN 2x2mm
Konstrukce s vyšší hustotou výkonu
Vyšší spínací frekvence
Používá čip OptiMOSSTM5
Snížení počtu dílů, kdekoli je k dispozici 5V spotřební materiál
Poháněno přímo z mikrokontrolérů (pomalé spínání)
Snížení systémových nákladů
Související odkazy
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 11 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFHM9331TRPBF Typ P-kanálový 11 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový