AEC-Q101, řada: IRFH MOSFET IRFH8324TRPBF Typ N-kanálový 192 A 40 V Infineon, PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 243-9299
- Výrobní číslo:
- IRFH8324TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
180,56 Kč
(bez DPH)
218,48 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 890 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 36,112 Kč | 180,56 Kč |
| 50 - 120 | 32,554 Kč | 162,77 Kč |
| 125 - 245 | 30,184 Kč | 150,92 Kč |
| 250 - 495 | 28,06 Kč | 140,30 Kč |
| 500 + | 26,38 Kč | 131,90 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 243-9299
- Výrobní číslo:
- IRFH8324TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 192A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | IRFH | |
| Typ balení | PQFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.7mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6.3mm | |
| Výška | 1.2mm | |
| Šířka | 5.3mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 192A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada IRFH | ||
Typ balení PQFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.7mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6.3mm | ||
Výška 1.2mm | ||
Šířka 5.3mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon IRFH8324TRPBF N-kanálový výkonový MOSFET je optimalizován pro nízkou RDS (ON) a vysokou proudovou schopnost. Zařízení jsou ideální pro nízkofrekvenční aplikace vyžadující výkon a odolnost. Komplexní portfolio se zabývá širokou škálou aplikací, včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a převodníků DC-DC.
Nízká tepelná odolnost vůči PCB (< 2.3 °C/W)
Měkčí tělní dioda ve srovnání s předchozí generací křemíku
Nízký profil (<1,2 mm)
Kompatibilní se stávajícími metodami povrchové montáže
V souladu se směrnicí RoHS neobsahuje olovo, bromid a žádné halogenové
Související odkazy
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 6 kolíkový
- AEC-Q101 PQFN, počet kolíků: 8 kolíkový