řada: iPB MOSFET Typ P-kanálový 273 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový N

Skladové číslo RS:: 243-9267
Výrobní číslo:: IPB110P06LMATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: iPB MOSFET Typ P-kanálový 273 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový N

Mezisoučet (1000 jednotky/-ek, v kotouči po 1000 ks)*

44 626,00 Kč

(bez DPH)

53 997,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 08. prosince 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
1000 +	44,626 Kč	44 626,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 243-9267
Výrobní číslo:: IPB110P06LMATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	273A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Typ balení	TO-263
	Řada	iPB
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	1.7mΩ
	Režim kanálu	N
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	80nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	81W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	1.1V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 273A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Typ balení TO-263
	Řada iPB
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 1.7mΩ
	Režim kanálu N
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 81W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 1.1V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPB110P06LMATMA1

MOSFET Infineon řady iPB, maximální zdrojové napětí vypouštění 100 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 273 A – IPB110P06LMATMA1

Tento MOSFET je polovodičový spínač P-kanálu určený pro aplikace s vysokým proudem a vysokým napětím, který je dodáván v pouzdru TO-263 pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je vhodný pro výkonové převody a spínací úkoly, kde je vyžadována tepelná tolerance a kompaktní montáž.

Charakteristiky a výhody:

• Velmi nízký odpor při zapnutí umožňuje snížení ztrát při vedení
• Vysoký nepřetržitý vypouštěcí proud podporuje manipulaci s velkým zatížením
• Jmenovité napětí 100 V umožňuje nasazení vyššího napětí
• Rozptýlení výkonu 81 W zajišťuje robustní tepelnou kapacitu
• Typický náboj hradla 80 nC umožňuje citlivé přepínání
• Shoda s RoHS minimalizuje obsah nebezpečných látek

Aplikace

• Vhodné pro synchronní usměrňování v napájecích zdrojích
• Užitečné v následujících fázích motorového pohonu vyžadujícího vysoký proud
• Lze použít pro vysokonapěťové měniče DC/DC
• Ideální pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž
• Používá se pro rychlé přepínání v prostředí s přechodovou zátěží

Jaké limity napětí hradla musí být při používání dodržovány?

Napětí zdroje brány nesmí překročit ±20 V, aby nedošlo k poškození struktury brány.

Jak rozsah teplot ovlivňuje možnosti nasazení?

Zařízení funguje v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití v podmínkách studeného startu i při zvýšených teplotách.

Jaké montážní úvahy se vztahují na tepelnou výkonnost?

Pro zvládnutí ztrát 81 W použijte vhodné tepelné podložky PCB a chladič s rozměrem TO-263.

Jak typ kanálu ovlivňuje polaritu obvodu?

Jelikož se jedná o zařízení s P-kanálem, vyžaduje vhodné uspořádání polarity pro konfigurace spínání high-side.

Jaké spínací chování indikuje jeho přímé napětí?

přímé napětí 1,1 V odráží jeho vodivost za specifikovaných podmínek pohonu a zátěže.