řada: iPB MOSFET N-kanálový 273 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový N

Skladové číslo RS:: 242-5818
Výrobní číslo:: IPB048N15N5ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: iPB MOSFET N-kanálový 273 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový N

Mezisoučet (1000 jednotky/-ek, v kotouči po 1000 ks)*

65 853,00 Kč

(bez DPH)

79 682,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

1 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
1000 +	65,853 Kč	65 853,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 242-5818
Výrobní číslo:: IPB048N15N5ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	273A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Typ balení	TO-263
	Řada	iPB
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	1.7mΩ
	Režim kanálu	N
	Maximální ztrátový výkon Pd	81W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	80nC
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 273A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Typ balení TO-263
	Řada iPB
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 1.7mΩ
	Režim kanálu N
	Maximální ztrátový výkon Pd 81W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPB048N15N5ATMA1

MOSFET Infineon řady iPB, zdrojové napětí vypouštění 100 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 273 A – IPB048N15N5ATMA1

Tento MOSFET je vysokoproudové N-kanálové spínací zařízení navržené pro napájecí aplikace pro povrchovou montáž, kde je vyžadována efektivní vodivost a tepelná odolnost. Pracuje v rozšířeném teplotním rozsahu a je určen pro použití v náročných prostředích s převodem výkonu a pohonem motoru, což poskytuje kompaktní řešení v pouzdru TO-263 pro sestavy montované na desku.

Charakteristiky a výhody:

• Nízké hodnoty Rds(on) 1,7 mΩ snižují ztráty při vedení a zvyšují účinnost
• Vysoký nepřetržitý vypouštěcí proud 273 A podporuje silné proudové zatížení
• Maximální Vds 100 V umožňuje robustní rozpětí napětí ve stupních spínání
• Rozptýlení výkonu 81 W umožňuje trvalé tepelné zatížení v úzkých prostorách
• Typický náboj hradla 80 nC vyváží požadavky na rychlost přepínání a pohon
• Jmenovité napětí zdroje hradla 20 V umožňuje velký prostor pro ovládání

Aplikace

• Vhodné pro stupně převodu výkonu v průmyslových měničích
• Ideální pro obvody s vysokoproudým pohonem motoru na PCB
• Používá se se synchronně usměrňujícími topologií v napájecích zdrojích
• Lze použít pro systémy řízení baterií vyžadující vysoký proud
• Doporučeno pro kompaktní spínací moduly pro montáž na desku vyžadující součásti pro povrchovou montáž

V jakém teplotním rozsahu může spolehlivě pracovat?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C a je vhodný pro prostředí s vysokými teplotami.

Jak balení ovlivňuje tepelný výkon?

Pouzdro TO-263 pro povrchovou montáž poskytuje cestu s nízkým tepelným odporem k desce pro efektivní rozptyl tepla při provozu s vysokým výkonem.

Jaké úvahy o pohonu hradla je třeba dodržovat?

Zařízení přijímá napětí až 20 V na hradle vzhledem k zdroji a má typický celkový náboj hradla 80 nC, takže schopnost budiče musí odpovídat spínací frekvenci a požadovaným přechodovým dobám.

Je vhodný pro kvalifikaci v automobilovém průmyslu?

Není specifikováno jako zařízení pro automobilový průmysl, a proto by se nemělo předpokládat, že je v souladu se specifickými normami pro automobilový průmysl.