AEC-Q101, řada: IAUC MOSFET N-kanálový 120 A 40 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 241-9891
Výrobní číslo:: IAUC90N10S5N062ATMA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: IAUC MOSFET N-kanálový 120 A 40 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

70 305,00 Kč

(bez DPH)

85 070,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 21. dubna 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	14,061 Kč	70 305,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 241-9891
Výrobní číslo:: IAUC90N10S5N062ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	120A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Typ balení	TDSON
	Řada	IAUC
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.7mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	80nC
	Přímé napětí Vf	1.1V
	Maximální ztrátový výkon Pd	81W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 120A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Typ balení TDSON
	Řada IAUC
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.7mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC
	Přímé napětí Vf 1.1V
	Maximální ztrátový výkon Pd 81W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IAUC90N10S5N062ATMA1

MOSFET Infineon řady IAUC, maximální ztrátový výkon 81 W, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 120 A – IAUC90N10S5N062ATMA1

Tento MOSFET je výkonový spínací tranzistor navržený pro prostředí s vysokým proudem a vysokou teplotou, který zajišťuje řízené vedení v konfiguracích N-kanálů s režimem zesílení. Je určen pro aplikace pro povrchovou montáž, kde je vyžadován robustní tepelný a elektrický výkon, a splňuje normy pro omezení v oblasti životního prostředí.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý vypouštěcí proud 40 V umožňující přepínání napájení při středním napětí
• nepřetržitý vypouštěcí proud 120 A pro vysoké proudové zatížení
• Nízký odpor při zapnutí 0.7 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 81 W podporující vyšší zvládání výkonu
• Typický náboj hradla 80 nC umožňující předvídatelnou spínací energii
• Tolerance hradla 20 V nabízí širokou flexibilitu hradlového pohonu

Aplikace

• Vhodné pro moduly řízení napájení v automobilovém průmyslu
• Ideální pro vysokoproudové stupně pohonu motoru
• Používá se pro převod DC/DC v průmyslových systémech
• Lze použít pro ochranu a distribuci baterií
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž

V jakém tepelném rozsahu může pracovat?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C, aby se přizpůsobil širokým tepelným obalům.

Jaké pouzdro a typ montáže používá?

Dodává se v pouzdru TDSON navrženém pro povrchovou montáž do budov ovládací desky a tepelných cest.

Je vhodný pro požadavky automobilového designu?

Splňuje normu AEC-Q101 a splňuje normu RoHS pro aplikace v automobilovém průmyslu.

Jaký kanál a režim vedení používá?

Jedná se o zařízení s N-kanálem pracující v režimu zesílení pro řízené spínání.