AEC-Q101, řada: IAUC MOSFET IAUC41N06S5N102ATMA1 N-kanálový 120 A 40 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 249-8629
- Výrobní číslo:
- IAUC41N06S5N102ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
167,47 Kč
(bez DPH)
202,64 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 5 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 33,494 Kč | 167,47 Kč |
| 50 - 120 | 29,542 Kč | 147,71 Kč |
| 125 - 245 | 27,368 Kč | 136,84 Kč |
| 250 - 495 | 25,54 Kč | 127,70 Kč |
| 500 + | 23,81 Kč | 119,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 249-8629
- Výrobní číslo:
- IAUC41N06S5N102ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 120A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TDSON | |
| Řada | IAUC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 120A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TDSON | ||
Řada IAUC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon 60V, N-CH, 10.2 mohm, automobilový MOSFET s technologií OptMOS 5 pro tranzistory MOSFET 60V v průmyslovém standardu S3O8 5 mm x 6 mm malý půdorys s předním výkonem, který zajišťuje nízkou RDSon, QG a kapacitu brány a minimalizuje ztráty vedení a spínání.
OptiMOS výkonový MOSFET pro automobilové aplikace
N-kanál, režim vylepšení, Normální úroveň
Rozšířená kvalifikace nad rámec AEC-Q101
Rozšířené elektrické testování
Robustní konstrukce
MSL1 až 260°C Peak přetavení
Provozní teplota 175 °C
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)
100 procent Avalanche testováno
Související odkazy
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový